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          功率放大器模塊在超微晶合金磁特性測量研究中的應用

          更新時間:2023-01-17      瀏覽次數(shù):517

            客戶需求:對超微晶合金磁特性測量中的波形發(fā)生與控制問題進行研究,實驗系統(tǒng)有嚴格的體積要求,上位機可外置,測試系統(tǒng)需集成于機箱,機箱尺寸:1900mm×500mm×600mm。

            解決方案:功率放大器模塊采用安泰ATA-M240高壓放大器模塊,該放大模塊,超寬的頻率范圍30kHz~1.5MHz,輸出電壓400Vpp,操作簡單,只需DC18-28V的供電電壓即可工作。

            實驗名稱:超微晶合金磁特性測量中的波形發(fā)生與控制問題進行研究

            實驗設備:計算機、數(shù)據(jù)采集卡、ATA-M240高壓放大器模塊、ATA-5220前置放大器、電流探頭、保護電阻、打印機等。

            實驗過程:

          超微晶合金磁特性測試集成系統(tǒng)圖

            圖:超微晶合金磁特性測試集成系統(tǒng)圖

          一維磁特性測量系統(tǒng)結構圖

            圖5.1:一維磁特性測量系統(tǒng)結構圖

            由圖5.1可知,計算機為整個測量系統(tǒng)的核心。在對超微晶合金樣件進行一維磁特性測量時,計算機通過運行LabVIEW程序并結合數(shù)據(jù)采集卡產生激磁電壓信號隨后該信號經(jīng)功率放大器模塊放大后加載在樣件的初級繞組上;次級繞組上的感應電壓信號和流經(jīng)初級繞組的激磁電流信號要先分別經(jīng)過前置放大器的放大作用,隨后由數(shù)據(jù)采集卡傳遞給計算機,最后計算機對采集到的數(shù)據(jù)進行相關的計算處理。超微晶合金環(huán)形樣件實物圖如圖5.2所示。該樣件的初級繞組線圈匝數(shù)M為4,次級繞組線圈數(shù)N為4磁環(huán)的橫截面積S為240mm2,平均磁路長度1為163.36mm。

          超微晶合金樣件實物圖

            圖5.2:超微晶合金樣件實物圖

            超微晶合金環(huán)形樣件的磁通密度B、磁場強度H可由式(5.1)求得:

          0117-1-4.png

            式中:

            Ni、N2一樣件初級繞組、次級繞組線圈匝數(shù);

            U2一次級繞組兩端的感應電壓,單位為伏特(V);

            i一初級繞組中流過的激磁電流,單位為安培(A);

            S一環(huán)形樣件的橫截面積,單位為平方米(m2);

            l一環(huán)形樣件的平均磁路長度,單位為米(m)。

            結合式(5.1)在LabVIEW中編譯磁通密度B、磁場強度H的計算程序框圖,如圖5.3所示。

            圖5.3:二維磁特性測量系統(tǒng)

            二維磁特性測量系統(tǒng):

            對超微晶合金進行二維磁特性測量時,待測樣件的二維磁化問題相比于一維時更為復雜,因此設計一個性能良好的激磁裝置是減小測量誤差、提高精度的一個必要條件。本課題組采用的二維激磁裝置為雙C型立體結構,如圖5.4所示。在該裝置中采用超微晶合金材料制成的兩個C型磁驅在空間中正交固定,磁軛正中的激磁繞組由利茲線繞制而成。同時此激磁裝置的磁軛與磁極的連接處未采用搭接方式,直接避免了磁動勢降低的現(xiàn)象出現(xiàn),提高了勵磁能力并降低了激磁損耗。

          雙C型立體激磁裝置結構

            圖5.4:雙C型立體激磁裝置結構

            為了產生更好的激磁效果,使樣片能夠被均勻磁化,C型磁軛上的磁極采用了聚磁能力較強的楔形結構,如圖5.5所示。其中,磁極的尺寸參數(shù)分別為:X1=10.2mm,X2=15.9mm,X3=3.1mm。

          磁軛與磁極結構圖

            圖5.5:磁軛與磁極結構圖

            二維磁特性測量系統(tǒng)的核心同樣是計算機。在對樣片進行二維磁特性測量時,計算機通過運行LabVIEW程序并結合數(shù)據(jù)采集卡產生兩路激磁電壓信號,隨后兩路信號分別經(jīng)功率放大器放大后加載在激磁裝置的兩個激磁繞組上。同時,為產生圓形旋轉磁場,需調節(jié)激磁電壓使得x、y兩路激磁電流的幅值相等且相位差為90;被測樣片上x、y兩路的測量信號要通過B-H傳感器測得,并經(jīng)過前置放大器的放大作用后通過數(shù)據(jù)采集卡傳遞給計算機,最后計算機對采集到的數(shù)據(jù)進行相關的計算處理。超微晶合金方形樣片每個方向的磁通密度B、磁場強度H可由式(5.2)求得:

          0117-1-8.png

            式中:

            UB一B傳感器的感應電壓,單位為伏特(V);

            Uu一H傳感器的感應電壓,單位為伏特(V);

            kB-B傳感器中探針的傳感系數(shù),經(jīng)校準得kB=2.67x10m-2

            kH一H傳感器中線圈的傳感系數(shù),經(jīng)校準得kB-1.993x10-3m2

            uo一真空磁導率,u04元x10-7T·A/m。

            結合式(5.2)在LabVIEW中編譯磁通密度B、磁場強度H的計算程序框圖,如圖5.9所示。

            圖5.9:二維磁特性測量中B、H計算程序框圖

            ATA-M240高壓放大器模塊在本實驗中的作用:

            該模塊由電源模塊,放大器模塊,輸出變壓器模塊,匹配電感器模塊四部分組成,可直接放大信號源輸出電壓,驅動超微晶合金環(huán)形樣件,不需要對信號做二次處理;

            外觀尺寸小,大大節(jié)省了機箱內部空間,便于和信號源模塊,前置放大器、信號采集模塊等,集成于機箱內;

            供電電壓為DC18-28V,操作更加簡單,同時大大減少了集成系統(tǒng)的成本。

            安泰ATA-M240高壓放大器模塊:

          ATA-M240高壓放大器模塊指標參數(shù)

            圖:ATA-M240高壓放大器模塊指標參數(shù)

            本文實驗素材由西安安泰電子整理發(fā)布。Aigtek已經(jīng)成為在業(yè)界擁有廣泛產品線,且具有相當規(guī)模的儀器設備供應商,樣機都支持免費試用。

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